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NTB60N06LT4G中文资料

NTB60N06LT4G图片

NTB60N06LT4G外观图

  • 大小:88.4KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:60A; On Resistance, Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.58V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:800
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:16 毫欧 @ 30A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:65nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3075pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.4W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTB60N06LT4GOSNTB60N06LT4GOS-NDNTB60N06LT4GOSTR

NTB60N06LT4G供应商

更新时间:2023-01-07 07:17:46
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